Die Rasterelektronenmikroskopie der Zukunft heisst FIB (Focused Ion Beam). Die ursprünglich für Halbleiteranwendungen konzipierten Raster-Ionenmikroskope erlauben nicht nur die hochauflösende Bildbetrachtung in verschiedenen Modi, sondern auch die mikrotechnische Bearbeitung der Probe. Mit dem primären, gerasterten Gallium-Ionenstrahl können örtlich präzise Mikro-Querschnitte hergestellt und in-situ inspiziert und ausgewertet werden. Auch ermöglichen die Geräte die zielgenaue Mikro-Deposition elektrisch leitender oder isolierender Schichten. Die Fehleranalyse und Reparatur von hochintegrierten Halbleiter-Schaltkreisen (ULSI's) gehört ebenso zu den Anwendungsgebieten wie die Charakterisierung von dünnen Schichten und Oberflächenverschleiss in materialwissenschaftlichen Fragestellungen. Die EMPA hat nunmehr zwei solche Anlagen in Betrieb genommen, mit denen sie das gesamte Anwendungsspektrum abdeckt. Dabei stehen sowohl aktuelle Forschungsprojekte, als auch eine zukunftsträchtige, hochwertige Dienstleistung für die Schweizer Industrie im Mittelpunkt.

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Urs Sennhauser
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